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[新聞頻道] 骁龙810算啥?高通一大波中高端处理器曝光

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發表於 2015-1-20 20:40:01 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
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高通骁龙810处理器,无疑会是2015年大部分旗舰级新机的标准配置。进入2015年以来还不到1个月时间,就已经先后有LG G Flex 2以及小米Note顶配版两部新机搭载骁龙810。但是,高通骁龙810却因为发热问题迟迟未能解决,而不得不推迟到三月份,也就是二季度才能正式量产。反观国内,联发科和海思两家却在高端产品线上连连发力。  t/ V! N2 a" I7 C& S  H* {
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比如日前有消息称,联发科的新一代旗舰级SOC MT6795已经率先量产。同样采用四个Cortex-A57核心+四个Cortex-A53核心的异步大小核架构,最高主频高达2.2GHz,支持2000万像素摄像头、LTE Cat4网络,最高下载速度为150Mbps,不过该芯片依然基于现有的28nm工艺制程,而不是高通810所采用的20nm工艺。高通未能解决好的发热和功耗问题,不知道联发科在28nm工艺制程下,将采取何种方式解决呢。
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海思方面,其与台积电联手打造的基于16nm FinFET工艺的麒麟950(另有说法称,该SOC为麒麟930)也已成功试产,该SOC同样是基于Cortex-A57 64位架构,得益于16nm工艺的采用,其最高主频去到了2.6GHz。它采用台积电的异构CoWoS 3D IC封装工艺,在一个28nm I/O芯片上集成了16nm逻辑芯片,大大降低了成本,也就是说它并非是完整的16nm工艺产品,大范围量产或许要等到下半年。6 N# E4 _1 {% s' L) U0 m

( ?. R6 e, {; x* x+ n* |/ n高通在810上,采用了来自ARM的标准Cortex-A5X架构,而不是自家的架构。根据IT之家先前的报道,高通的新架构研发进度,确实不足以让高通810率先采用。更换架构的高通骁龙810,也在发热和功耗控制方面面临挑战,导致其一再延期。高通骁龙810更大的意义在于,填补自主新架构SOC出现之前高端市场的空白。
" V+ v8 r" ], E近日,基于高通自主架构的一系列中高端新品被曝光,一起来看看它们的相关参数信息。3 ~" v# Z7 K, r3 q
1、骁龙616:拥有八个A53核心,主频1.8G~2.2G,集成Adreno 408图形处理器,3D mark得分可达15000分以上,搭载的基带支持LTE-A CAT6制式,采用中芯国际28纳米HKMG工艺制造。
0 l/ X% z7 a2 Y3 g1 h2、骁龙620、625、629:采用自主TS1核心,64位技术,9级流水线双发射完整乱序执行设计,主频2.0G~2.5G,其中620为四核心,625、629为八核心,620及625集成的GPU为Adreno 418,支持双通道LPDDR3 933内存规格;629则集成Adreno 430,支持双通道LPDDR4 1600内存规格。此外,三者皆搭载MDM9X45 LTE-A CAT10全模基带,采用三星/GF的20纳米HKMG工艺制造。
0 L1 }8 i( u$ f; G- P% Q' _3、骁龙815:采用四核TS1i+四核TS1的混合架构设计,拥有2MB三级缓存,主频未知,集成Adreno 450图形处理器,支持双通道LPDDR4 1600内存规格,不集成基带,采用三星/GF的20nmHKMG工艺制造,目标直指Nvidia Tegra X1。, K& [$ {5 y0 ^' S! V* V( A- {- i9 U

* O: f6 P0 U, q' c$ b4、骁龙820:拥有八个64位的TS2核心,主频未知,集成Adreno 530图形处理器,支持双通道LPDDR4内存规格,并搭载MDM9X55 LTE-A CAT10全模基带,采用三星/GF的14nm FinFET工艺。9 L8 C6 T. Q6 ~4 B% F2 x
5、骁龙808:这个可能会在MT6798之前上市,采用双核A57+四核A53的混合架构设计,主频2.0G以上,集成Adreno 418图形处理器和MDM9X35/45 LTE-A全模基带,利用台积电20纳米HPM工艺制造。
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! p; Z. K. I" M' P, V( W另外,从相关人士的消息来看,高通原计划将在2015年下半年推出14nm的高通820(8996)处理器,但从目前的情况来看,虽然三星14nm工艺的良品率已经超过了80%,但由于台积电16nm工艺进展不顺利,三星的大部分订单已被苹果抢到,而且GlobalFoundries 14nm工艺已经确定延期1-2个季度,按照此进度下去,高通想在今年下半年推出骁龙820仍然面临着巨大的压力。
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